FUJI /

Модуль FUJI 2MBI1000VXB-170E-54

Бренд: FUJI

Артикул: 2MBI1000VXB-170E-54

Вы можете заказать Модуль FUJI 2MBI1000VXB-170E-54 в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.

Цена по согласованию.

Для получения коммерческого предложения добавьте данную позицию к запросу цен.

Категории:

Модули


Описание продукта	МОДУЛЬ FUJI IGBT 2MBI1000VXB-170E-54 представляет собой мощный модуль биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT). он предназначен для использования в различных промышленных приложениях, требующих возможности переключения высокого напряжения и сильного тока
Цель использования	Модуль IGBT используется для преобразования энергии и управления в таких приложениях, как приводы двигателей, системы возобновляемых источников энергии, промышленная автоматизация и электромобили
Применение	Этот модуль IGBT может использоваться в различных силовых электронных системах, требующих эффективного и надежного переключения высоких напряжений и токов
Вес	Вес изделия составляет примерно 0,5 килограмма
Цвет	Цвет изделия обычно черный или темно-серый
Количество ампер	максимальный ток модуля IGBT составляет 1000 ампер
Размеры упаковки	Размеры изделия составляют примерно 10 см х 5 см х 2 см (длина х ширина х высота)
Сопротивление	модуль IGBT имеет низкое сопротивление во включенном состоянии, обычно в пределах нескольких миллиом
Напряжение	Модуль рассчитан на максимальное напряжение 1700 Вольт. 1. ток коллектора: 1000 ампер 5. максимальная рассеиваемая мощность: 2000 вт 6 напряжение изоляции: 2500 вольт
Максимальная рабочая температура	150°C
Частота коммутации	до 20 кГц 8. термическое сопротивление: 0,1°c/вт 9. заряд затвора: 200 нкл 10. время выдержки при коротком замыкании: 10 мкс

Внимание!

Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.

Продукты других производителей из категории Модули