FUJI /

Модуль FUJI 7MBI50N120

Бренд: FUJI

Артикул: 7MBI50N120

Вы можете заказать Модуль FUJI 7MBI50N120 в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.

Цена по согласованию.

Для получения коммерческого предложения добавьте данную позицию к запросу цен.

Категории:

Модули


Описание продукта	FUJI 7MBI50N120 — это модуль IGBT с номинальным током 50 А и номинальным напряжением 1200 В. это мощное полупроводниковое устройство, используемое для коммутации в различных отраслях промышленности
Цель использования	Модуль FUJI 7MBI50N120 IGBT обычно используется в приложениях силовой электроники, таких как приводы двигателей, инверторы и источники питания. он обеспечивает эффективные и надежные возможности коммутации для мощных систем
Применение	Этот модуль IGBT подходит для широкого спектра применений, включая промышленную автоматизацию, системы возобновляемых источников энергии, электромобили и мощное электронное оборудование
Вес	Вес модуля FUJI 7MBI50N120 IGBT составляет примерно 0,2 килограмма
Цвет	Цвет модуля может варьироваться в зависимости от производителя, но обычно он черный или темно-серый
Количество ампер	IGBT-модуль FUJI 7MBI50N120 имеет номинальный ток 50 А
Размеры упаковки	Размеры упаковки модуля составляют примерно 10 см х 5 см х 2 см
Напряжение	Номинальное напряжение модуля составляет 1200 В. 1. максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 в
Максимальный ток	коллектора: 50 А 3. максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 300 вт
Максимальная температура перехода	150 °C 5. пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 в 6. ток утечки затвор-эмиттер: 100 на 7. входная емкость: 3,5 нф 8. выходная емкость: 1,2 нф 9. время задержки включения: 0,5 мкс 10. время задержки выключения: 1,2 мкс

Внимание!

Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.

Продукты других производителей из категории Модули