FUJI /

Модуль FUJI 7MBR50VB120A

Бренд: FUJI

Артикул: 7MBR50VB120A

Вы можете заказать Модуль FUJI 7MBR50VB120A в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.

Цена по согласованию.

Для получения коммерческого предложения добавьте данную позицию к запросу цен.

Категории:

Модули


Описание продукта	Модуль FUJI ipm 7MBR50VB120A представляет собой модуль биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применений с высокой мощностью. это силовое полупроводниковое устройство, сочетающее в себе высокую скорость переключения силового моп-транзистора с высоким напряжением пробоя и высоким входным сопротивлением биполярного транзистора
Цель использования	7MBR50VB120A используется в силовых электронных системах для таких приложений, как приводы двигателей, источники питания и системы возобновляемых источников энергии
Применение	Используется в промышленном и коммерческом оборудовании для управления и преобразования мощности
Вес	Вес изделия составляет 0,5 килограмма
Цвет	Обычно продукт черного цвета
Амперы	Изделие рассчитано на силу тока 50 ампер
Размеры упаковки	Размеры упаковки продукта составляют 10 х 5 х 3 сантиметра
Сопротивление	продукт имеет низкое падение напряжения во включенном состоянии и низкие потери на переключение, что приводит к низким потерям на проводимость и переключение
Напряжение	Изделие рассчитано на напряжение 1200 В. другие технические детали:
Максимальная рабочая температура	150°C
Максимальный ток	коллектора: 100 А 3. максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 в 4. максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20 в
Тип монтажа	Винт
Напряжение изоляции	2500 В 7. тип модуля: комплект из семи блоков 8. термическое сопротивление: 0,5°c/вт 9. заряд затвора: 200 нкл
Температура хранения	от -40 до 125°C

Внимание!

Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.

Продукты других производителей из категории Модули