Модуль IGBT MG75N2YS50
Бренд: IGBT
Артикул: MG75N2YS50
Вы можете заказать Модуль IGBT MG75N2YS50 в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.
Цена по согласованию.
Чтобы уточнить цену, наличие и условия поставки, свяжитесь с нами по телефону или электронной почте.
Категории:
| Описание продукта | Модуль Toshiba IGBT MG75N2YS50 представляет собой мощный модуль биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для различных промышленных применений. Это надежное и эффективное силовое электронное устройство, сочетающее в себе преимущества технологий MOSFET и биполярных транзисторов |
| Цель использования | Модуль IGBT MG75N2YS50 обычно используется в системах силовой электроники, таких как электроприводы, инверторы и источники питания. Он подходит для приложений, требующих возможности переключения высокого напряжения и тока |
| Применение | Этот модуль IGBT широко используется в таких отраслях, как автомобилестроение, возобновляемые источники энергии, промышленная автоматизация и телекоммуникации. Его можно использовать, среди прочего, в электромобилях, солнечных инверторах, сварочных аппаратах и источниках бесперебойного питания (ИБП) |
| Вес | Вес модуля Toshiba IGBT MG75N2YS50 составляет примерно 0,5 килограмма |
| Цвет | Цвет модуля может варьироваться, но обычно он черный или темно-серый |
| Количество ампер | максимальный ток модуля MG75N2YS50 IGBT составляет 75 ампер |
| Размеры упаковки | Размеры упаковки модуля составляют примерно 10 см х 5 см х 3 см (длина х ширина х высота) |
| Сопротивление | Сопротивление модуля IGBT MG75N2YS50 обычно определяется падением напряжения во включенном состоянии и номинальным током во включенном состоянии. Эти значения могут меняться в зависимости от конкретных условий эксплуатации |
| Напряжение | Модуль работает в диапазоне напряжений до 1200 Вольт. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 вольт |
| Максимальный ток | коллектора: 75 ампер. Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 300 Вт |
| Максимальная температура перехода | 150 градусов Цельсия. Пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4 В. Ток утечки затвор-эмиттер: 100 микроампер. Входная емкость: 4,5 нанофарад. Выходная емкость: 1,2 нанофарад. Время задержки включения: 0,5 микросекунды. Время задержки выключения: 1,2 микросекунды |
i-heroicons-information-circle
Внимание!
Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.
Продукты других производителей из категории Модули
