Модуль IGBT MIG20J501L
Бренд: IGBT
Артикул: MIG20J501L
Вы можете заказать Модуль IGBT MIG20J501L в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.
Цена по согласованию.
Чтобы уточнить цену, наличие и условия поставки, свяжитесь с нами по телефону или электронной почте.
Категории:
| Описание продукта | Модуль Toshiba IGBT MIG20J501L представляет собой высокопроизводительный модуль биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для силовой электроники. Он сочетает в себе преимущества как MOSFET, так и биполярных транзисторов, обеспечивая возможность работы при высоком напряжении, низкое падение напряжения в открытом состоянии и высокую скорость переключения |
| Цель использования | Модуль Toshiba IGBT MIG20J501L обычно используется в различных промышленных приложениях, таких как приводы двигателей, источники питания, системы возобновляемых источников энергии и электромобили. Он специально разработан для мощных коммутационных приложений, требующих эффективной и надежной работы |
| Применение | Модуль Toshiba IGBT MIG20J501L может использоваться в широком спектре приложений, включая промышленную автоматизацию, робототехнику, тяговые системы, источники бесперебойного питания (ИБП) и сварочное оборудование |
| Вес | Вес модуля Toshiba IGBT MIG20J501L составляет примерно 0,2 килограмма |
| Цвет | Цвет модуля Toshiba IGBT MIG20J501L обычно черный или темно-серый |
| Количество ампер | максимальный ток модуля Toshiba IGBT MIG20J501L составляет 20 ампер |
| Размеры упаковки | Размеры упаковки модуля Toshiba IGBT MIG20J501L составляют примерно 5 см x 5 см x 2 см |
| Сопротивление | Модуль Toshiba IGBT MIG20J501L имеет низкое сопротивление в открытом состоянии, обычно в пределах нескольких миллиом |
| Напряжение | Максимальное номинальное напряжение модуля Toshiba IGBT MIG20J501L составляет 600 В. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 600 вольт |
| Максимальный ток | коллектора: 20 ампер. Максимальная рассеиваемая мощность: 150 Вт |
| Максимальная температура перехода | 150 градусов Цельсия. Пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4 вольт. Ток утечки затвор-эмиттер: 100 микроампер. Входная емкость: 2,5 нанофарад. Выходная емкость: 1,2 нанофарад. Емкость обратной передачи: 0,5 нанофарад |
| Диапазон рабочих температур | от -40 до 150 градусов Цельсия |
i-heroicons-information-circle
Внимание!
Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.
Продукты других производителей из категории Модули
