Модуль IGBT MIG20J5031
Бренд: IGBT
Артикул: MIG20J5031
Вы можете заказать Модуль IGBT MIG20J5031 в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.
Цена по согласованию.
Чтобы уточнить цену, наличие и условия поставки, свяжитесь с нами по телефону или электронной почте.
Категории:
| Описание продукта | Модуль Toshiba IGBT MIG20J5031 представляет собой высокопроизводительный модуль биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в силовой электронике. Это компактное и надежное устройство, сочетающее в себе высокую скорость переключения силового МОП-транзистора с возможностью высокого напряжения биполярного транзистора. Торговая марка: Toshiba Цель использования: Модуль MIG20J5031 IGBT используется для коммутации высокой мощности в различных отраслях, таких как автомобильная, промышленная и возобновляемая энергетика |
| Применение | Модуль используется в силовых инверторах, моторных приводах, сварочном оборудовании и других устройствах высокой мощности |
| Вес | 0,2 кг Цвет: Черный Количество ампер: 50 А Размеры упаковки: 10 x 10 x 5 см Сопротивление: 0,1 Ом Напряжение: 600 Вольт |
| Максимальная рабочая температура | 150°C |
| Напряжение | затвор-эмиттер: ± 20 В. Ток коллектора: 50 А. Максимальная рассеиваемая мощность: 330 Вт |
| Напряжение изоляции | 2500 В |
| Тип монтажа | Винт |
| Соответствие RoHS | Да. Заряд затвора: 120 нКл. Обратное восстановление Время: 100 нс |
i-heroicons-information-circle
Внимание!
Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.
Продукты других производителей из категории Модули
