Корзина
Модуль IGBT MIG20J901H

Модуль IGBT MIG20J901H

Бренд: IGBT
Артикул: MIG20J901H

Вы можете заказать Модуль IGBT MIG20J901H в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.

Цена по согласованию.

Для получения коммерческого предложения добавьте данную позицию к запросу цен.


Категории:

Описание продуктаМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H представляет собой высокопроизводительный модуль биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для силовой электроники. он сочетает в себе преимущества как mosfet, так и биполярных транзисторов, обеспечивая возможность работы при высоком напряжении, низкое падение напряжения в открытом состоянии и высокую скорость переключения
Цель использованияМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H обычно используется в различных промышленных и коммерческих приложениях, включая приводы двигателей, источники питания, системы возобновляемых источников энергии и электромобили. он специально разработан для мощных коммутационных приложений, требующих эффективной и надежной работы
ПрименениеМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H может использоваться в широком спектре приложений, таких как управление двигателями, преобразователи частоты, источники бесперебойного питания (ИБП), сварочное оборудование и тяговые системы
ВесВес модуля Toshiba IGBT MIG20J901H составляет примерно 0,2 килограмма
ЦветМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H обычно имеет черный или темно-серый цвет
Количество ампермодуль Toshiba IGBT MIG20J901H выдерживает максимальный ток 20 ампер
Размеры упаковкиРазмеры упаковки модуля Toshiba IGBT MIG20J901H составляют примерно 5 см x 5 см x 2 см
Сопротивлениемодуль Toshiba IGBT MIG20J901H имеет низкое сопротивление во включенном состоянии, обычно около 0,1 Ом
Напряжениемодуль Toshiba IGBT MIG20J901H выдерживает максимальное напряжение 900 В. 1. максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 900 вольт
Максимальный токколлектора: 20 ампер 3. максимальная рассеиваемая мощность: 200 вт
Максимальная температура перехода150 градусов Цельсия 5. пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 вольт 6. ток утечки затвор-эмиттер: 100 микроампер 7. входная емкость: 2,5 нанофарад 8. выходная емкость: 1,2 нанофарад 9. время спада: 0,5 микросекунды
Диапазон рабочих температурот -40 до 150 градусов Цельсия

Внимание!

Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.
Продукты других производителей из категории Модули
Модуль SEMIKRON VBO21-12NO7

Модуль SEMIKRON VBO21-12NO7

Модуль MITSUBISHI CM2400HC-34H

Модуль MITSUBISHI CM2400HC-34H

Модуль IXYS VUO160-12N07

Модуль IXYS VUO160-12N07

Модуль B&R 3AO360.60-1

Модуль B&R 3AO360.60-1

Модуль VIPA 972-0DP20

Модуль VIPA 972-0DP20

Модуль IXYS VUO190-08N07

Модуль IXYS VUO190-08N07

Модуль PHOENIX 5-24DC

Модуль PHOENIX 5-24DC

Модуль ALLEN BRADLEY 1762-OB8

Модуль ALLEN BRADLEY 1762-OB8

Модуль ALLEN BRADLEY 2085-OF4

Модуль ALLEN BRADLEY 2085-OF4

Модуль INFINEON FP10R12YT3_B4

Модуль INFINEON FP10R12YT3_B4

Продукты IGBT из других категорий
Энкодер IGBT HEDS-9040-J00

Энкодер IGBT HEDS-9040-J00

Инвертор IGBT CM40YE13-12H

Инвертор IGBT CM40YE13-12H