Корзина
Модуль IGBT MIG20J901H

Модуль IGBT MIG20J901H

Бренд: IGBT
Артикул: MIG20J901H

Вы можете заказать Модуль IGBT MIG20J901H в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.

Цена по согласованию.

Для получения коммерческого предложения добавьте данную позицию к запросу цен.


Категории:

Описание продуктаМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H представляет собой высокопроизводительный модуль биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для силовой электроники. он сочетает в себе преимущества как mosfet, так и биполярных транзисторов, обеспечивая возможность работы при высоком напряжении, низкое падение напряжения в открытом состоянии и высокую скорость переключения
Цель использованияМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H обычно используется в различных промышленных и коммерческих приложениях, включая приводы двигателей, источники питания, системы возобновляемых источников энергии и электромобили. он специально разработан для мощных коммутационных приложений, требующих эффективной и надежной работы
ПрименениеМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H может использоваться в широком спектре приложений, таких как управление двигателями, преобразователи частоты, источники бесперебойного питания (ИБП), сварочное оборудование и тяговые системы
ВесВес модуля Toshiba IGBT MIG20J901H составляет примерно 0,2 килограмма
ЦветМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H обычно имеет черный или темно-серый цвет
Количество ампермодуль Toshiba IGBT MIG20J901H выдерживает максимальный ток 20 ампер
Размеры упаковкиРазмеры упаковки модуля Toshiba IGBT MIG20J901H составляют примерно 5 см x 5 см x 2 см
Сопротивлениемодуль Toshiba IGBT MIG20J901H имеет низкое сопротивление во включенном состоянии, обычно около 0,1 Ом
Напряжениемодуль Toshiba IGBT MIG20J901H выдерживает максимальное напряжение 900 В. 1. максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 900 вольт
Максимальный токколлектора: 20 ампер 3. максимальная рассеиваемая мощность: 200 вт
Максимальная температура перехода150 градусов Цельсия 5. пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 вольт 6. ток утечки затвор-эмиттер: 100 микроампер 7. входная емкость: 2,5 нанофарад 8. выходная емкость: 1,2 нанофарад 9. время спада: 0,5 микросекунды
Диапазон рабочих температурот -40 до 150 градусов Цельсия

Внимание!

Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.
Продукты других производителей из категории Модули
Модуль ABB A01

Модуль ABB A01

Модуль MITSUBISHI Q25PHCPU

Модуль MITSUBISHI Q25PHCPU

Модуль YOKOGAWA ATR8S-00

Модуль YOKOGAWA ATR8S-00

Модуль FANUC PC1008

Модуль FANUC PC1008

Модуль MITSUBISHI CM200DY-24H

Модуль MITSUBISHI CM200DY-24H

Модуль OMRON CP1E-N40DT1-A

Модуль OMRON CP1E-N40DT1-A

Модуль HONEYWELL CC-PCF901

Модуль HONEYWELL CC-PCF901

Модуль ALLEN BRADLEY 1794-IG16

Модуль ALLEN BRADLEY 1794-IG16

Модуль Eupec TT251N14KOF

Модуль Eupec TT251N14KOF

Модуль OMRON NX-TC3408

Модуль OMRON NX-TC3408

Продукты IGBT из других категорий
Энкодер IGBT HEDS-9040-J00

Энкодер IGBT HEDS-9040-J00

Инвертор IGBT CM40YE13-12H

Инвертор IGBT CM40YE13-12H