Корзина
Модуль IGBT MIG20J901H

Модуль IGBT MIG20J901H

Бренд: IGBT
Артикул: MIG20J901H

Вы можете заказать Модуль IGBT MIG20J901H в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.

Цена по согласованию.

Для получения коммерческого предложения добавьте данную позицию к запросу цен.


Категории:

Описание продуктаМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H представляет собой высокопроизводительный модуль биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для силовой электроники. он сочетает в себе преимущества как mosfet, так и биполярных транзисторов, обеспечивая возможность работы при высоком напряжении, низкое падение напряжения в открытом состоянии и высокую скорость переключения
Цель использованияМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H обычно используется в различных промышленных и коммерческих приложениях, включая приводы двигателей, источники питания, системы возобновляемых источников энергии и электромобили. он специально разработан для мощных коммутационных приложений, требующих эффективной и надежной работы
ПрименениеМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H может использоваться в широком спектре приложений, таких как управление двигателями, преобразователи частоты, источники бесперебойного питания (ИБП), сварочное оборудование и тяговые системы
ВесВес модуля Toshiba IGBT MIG20J901H составляет примерно 0,2 килограмма
ЦветМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H обычно имеет черный или темно-серый цвет
Количество ампермодуль Toshiba IGBT MIG20J901H выдерживает максимальный ток 20 ампер
Размеры упаковкиРазмеры упаковки модуля Toshiba IGBT MIG20J901H составляют примерно 5 см x 5 см x 2 см
Сопротивлениемодуль Toshiba IGBT MIG20J901H имеет низкое сопротивление во включенном состоянии, обычно около 0,1 Ом
Напряжениемодуль Toshiba IGBT MIG20J901H выдерживает максимальное напряжение 900 В. 1. максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 900 вольт
Максимальный токколлектора: 20 ампер 3. максимальная рассеиваемая мощность: 200 вт
Максимальная температура перехода150 градусов Цельсия 5. пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 вольт 6. ток утечки затвор-эмиттер: 100 микроампер 7. входная емкость: 2,5 нанофарад 8. выходная емкость: 1,2 нанофарад 9. время спада: 0,5 микросекунды
Диапазон рабочих температурот -40 до 150 градусов Цельсия

Внимание!

Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.
Продукты других производителей из категории Модули
Модуль MITSUBISHI FX2N-2AD

Модуль MITSUBISHI FX2N-2AD

Модуль MITSUBISHI DS

Модуль MITSUBISHI DS

Модуль Eupec DT61N

Модуль Eupec DT61N

Модуль WESTCODE M0790YH200

Модуль WESTCODE M0790YH200

Модуль SCHNEIDER TM221C16R

Модуль SCHNEIDER TM221C16R

Модуль WESTCODE M0371YH350

Модуль WESTCODE M0371YH350

Модуль B&R X67DO9332.L12

Модуль B&R X67DO9332.L12

Модуль SEMIKRON SKB30

Модуль SEMIKRON SKB30

Модуль VIGOR VB-1PG

Модуль VIGOR VB-1PG

Модуль ABB 1DI15A-060

Модуль ABB 1DI15A-060

Продукты IGBT из других категорий
Инвертор IGBT FS450R17KE3

Инвертор IGBT FS450R17KE3

Энкодер IGBT HEDS-9040-J00

Энкодер IGBT HEDS-9040-J00