Корзина
Модуль IGBT MIG20J901H

Модуль IGBT MIG20J901H

Бренд: IGBT
Артикул: MIG20J901H

Вы можете заказать Модуль IGBT MIG20J901H в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.

Цена по согласованию.

Для получения коммерческого предложения добавьте данную позицию к запросу цен.


Категории:

Описание продуктаМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H представляет собой высокопроизводительный модуль биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для силовой электроники. он сочетает в себе преимущества как mosfet, так и биполярных транзисторов, обеспечивая возможность работы при высоком напряжении, низкое падение напряжения в открытом состоянии и высокую скорость переключения
Цель использованияМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H обычно используется в различных промышленных и коммерческих приложениях, включая приводы двигателей, источники питания, системы возобновляемых источников энергии и электромобили. он специально разработан для мощных коммутационных приложений, требующих эффективной и надежной работы
ПрименениеМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H может использоваться в широком спектре приложений, таких как управление двигателями, преобразователи частоты, источники бесперебойного питания (ИБП), сварочное оборудование и тяговые системы
ВесВес модуля Toshiba IGBT MIG20J901H составляет примерно 0,2 килограмма
ЦветМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H обычно имеет черный или темно-серый цвет
Количество ампермодуль Toshiba IGBT MIG20J901H выдерживает максимальный ток 20 ампер
Размеры упаковкиРазмеры упаковки модуля Toshiba IGBT MIG20J901H составляют примерно 5 см x 5 см x 2 см
Сопротивлениемодуль Toshiba IGBT MIG20J901H имеет низкое сопротивление во включенном состоянии, обычно около 0,1 Ом
Напряжениемодуль Toshiba IGBT MIG20J901H выдерживает максимальное напряжение 900 В. 1. максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 900 вольт
Максимальный токколлектора: 20 ампер 3. максимальная рассеиваемая мощность: 200 вт
Максимальная температура перехода150 градусов Цельсия 5. пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 вольт 6. ток утечки затвор-эмиттер: 100 микроампер 7. входная емкость: 2,5 нанофарад 8. выходная емкость: 1,2 нанофарад 9. время спада: 0,5 микросекунды
Диапазон рабочих температурот -40 до 150 градусов Цельсия

Внимание!

Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.
Продукты других производителей из категории Модули
Модуль WESTCODE M0336RA140

Модуль WESTCODE M0336RA140

Модуль WESTCODE Y5002NC250

Модуль WESTCODE Y5002NC250

Модуль WESTCODE N170PH12

Модуль WESTCODE N170PH12

Модуль WESTCODE M1609NC200

Модуль WESTCODE M1609NC200

Модуль FUJI 3MBI150U-120-52

Модуль FUJI 3MBI150U-120-52

Модуль HONEYWELL 51201557-150

Модуль HONEYWELL 51201557-150

Модуль SEMIKRON SKKE260

Модуль SEMIKRON SKKE260

Модуль IXYS VVZB170-16NO1

Модуль IXYS VVZB170-16NO1

Модуль SANREX DF50BA80

Модуль SANREX DF50BA80

Модуль ALLEN BRADLEY 2085-IQ16

Модуль ALLEN BRADLEY 2085-IQ16

Продукты IGBT из других категорий
Энкодер IGBT HEDS-9040-J00

Энкодер IGBT HEDS-9040-J00

Инвертор IGBT CM400HC6-24NFM

Инвертор IGBT CM400HC6-24NFM