ion:search-outline
Модуль IGBT MIG20J901H

Модуль IGBT MIG20J901H

Бренд: IGBT
Артикул: MIG20J901H

Вы можете заказать Модуль IGBT MIG20J901H в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.

Цена по согласованию.

Чтобы уточнить цену, наличие и условия поставки, свяжитесь с нами по телефону или электронной почте.


Категории:

Описание продуктаМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H представляет собой высокопроизводительный модуль биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для силовой электроники. Он сочетает в себе преимущества как MOSFET, так и биполярных транзисторов, обеспечивая возможность работы при высоком напряжении, низкое падение напряжения в открытом состоянии и высокую скорость переключения
Цель использованияМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H обычно используется в различных промышленных и коммерческих приложениях, включая приводы двигателей, источники питания, системы возобновляемых источников энергии и электромобили. Он специально разработан для мощных коммутационных приложений, требующих эффективной и надежной работы
ПрименениеМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H может использоваться в широком спектре приложений, таких как управление двигателями, преобразователи частоты, источники бесперебойного питания (ИБП), сварочное оборудование и тяговые системы
ВесВес модуля Toshiba IGBT MIG20J901H составляет примерно 0,2 килограмма
ЦветМодуль Toshiba IGBT MIG20J901H обычно имеет черный или темно-серый цвет
Количество ампермодуль Toshiba IGBT MIG20J901H выдерживает максимальный ток 20 ампер
Размеры упаковкиРазмеры упаковки модуля Toshiba IGBT MIG20J901H составляют примерно 5 см x 5 см x 2 см
Сопротивлениемодуль Toshiba IGBT MIG20J901H имеет низкое сопротивление во включенном состоянии, обычно около 0,1 Ом
Напряжениемодуль Toshiba IGBT MIG20J901H выдерживает максимальное напряжение 900 В. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 900 вольт
Максимальный токколлектора: 20 ампер. Максимальная рассеиваемая мощность: 200 Вт
Максимальная температура перехода150 градусов Цельсия. Пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 вольт. Ток утечки затвор-эмиттер: 100 микроампер. Входная емкость: 2,5 нанофарад. Выходная емкость: 1,2 нанофарад. Время спада: 0,5 микросекунды
Диапазон рабочих температурот -40 до 150 градусов Цельсия
i-heroicons-information-circle

Внимание!

Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.
Продукты других производителей из категории Модули
Модуль ABB PM50RHB060-01

Модуль ABB PM50RHB060-01

Модуль ABB 1DI200D-120

Модуль ABB 1DI200D-120

Модуль WESTCODE R2714ZD18J

Модуль WESTCODE R2714ZD18J

Модуль SANREX SCE160AA160

Модуль SANREX SCE160AA160

Модуль MITSUBISHI AJ65SBTB1-16T1

Модуль MITSUBISHI AJ65SBTB1-16T1

Модуль WESTCODE SW15CXC470

Модуль WESTCODE SW15CXC470

Модуль ABB C719

Модуль ABB C719

Модуль MITSUBISHI QD75P2

Модуль MITSUBISHI QD75P2

Модуль SEWEURODRIVE 813152X

Модуль SEWEURODRIVE 813152X

Модуль HONEYWELL 8C-PDISA1

Модуль HONEYWELL 8C-PDISA1

Продукты IGBT из других категорий