ion:search-outline
Модуль IGBT MIG20J906H

Модуль IGBT MIG20J906H

Бренд: IGBT
Артикул: MIG20J906H

Вы можете заказать Модуль IGBT MIG20J906H в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.

Цена по согласованию.

Чтобы уточнить цену, наличие и условия поставки, свяжитесь с нами по телефону или электронной почте.


Категории:

Описание продуктаМодуль Toshiba IGBT MIG20J906H представляет собой высокопроизводительный модуль биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для различных силовых электронных приложений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET и биполярных транзисторов, обеспечивая возможность работы при высоком напряжении, низкое напряжение насыщения и высокую скорость переключения
Цель использованияМодуль Toshiba IGBT MIG20J906H обычно используется в системах преобразования энергии, приводах двигателей, системах возобновляемых источников энергии и оборудовании промышленной автоматизации
ПрименениеЭтот модуль IGBT подходит для приложений, требующих высокой мощности переключения и эффективного преобразования энергии, таких как управление двигателем, инверторы, источники бесперебойного питания (ИБП) и сварочные аппараты
ВесВес модуля Toshiba IGBT MIG20J906H составляет примерно 0,2 килограмма
ЦветЦвет модуля может варьироваться в зависимости от производителя, но обычно он черный или темно-серый
Количество ампермодуль Toshiba IGBT MIG20J906H выдерживает максимальный ток 20 ампер
Размеры упаковкиРазмеры упаковки модуля составляют примерно 5 см х 10 см х 2 см (длина х ширина х высота)
Сопротивлениемодуль имеет низкое сопротивление во включенном состоянии, обычно около 0,2 Ом
НапряжениеМаксимальное номинальное напряжение модуля Toshiba IGBT MIG20J906H составляет 600 В. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 600 вольт
Максимальный токколлектора: 20 ампер. Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 150 Вт
Максимальная температура перехода150 градусов Цельсия. Пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4 В. Ток утечки затвор-эмиттер: 100 микроампер. Входная емкость: 2000 пикофарад. Выходная емкость: 400 пикофарад. Время спада: 0,5 микросекунды
Диапазон рабочих температурот -40 до 150 градусов Цельсия
i-heroicons-information-circle

Внимание!

Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.
Продукты других производителей из категории Модули
Модуль MITSUBISHI A1SD62E

Модуль MITSUBISHI A1SD62E

Модуль HOLLYSYS SM511

Модуль HOLLYSYS SM511

Модуль SIEMENS 134-6HB00-0CA1

Модуль SIEMENS 134-6HB00-0CA1

Модуль FUJI 2MBI200UR-120

Модуль FUJI 2MBI200UR-120

Модуль HONEYWELL TK-PPD011

Модуль HONEYWELL TK-PPD011

Модуль BECKHOFF K2488

Модуль BECKHOFF K2488

Модуль B&R 3AT660.6

Модуль B&R 3AT660.6

Модуль MOUSER VBO30-18NO7

Модуль MOUSER VBO30-18NO7

Модуль FUJI 2MBI200UM-120-50

Модуль FUJI 2MBI200UM-120-50

Модуль INFINEON BSM15GP120B2

Модуль INFINEON BSM15GP120B2

Продукты IGBT из других категорий