Модуль TOSHIBA MG150Q2S50
Бренд: TOSHIBA
Артикул: MG150Q2S50
Вы можете заказать Модуль TOSHIBA MG150Q2S50 в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.
Цена по согласованию.
Чтобы уточнить цену, наличие и условия поставки, свяжитесь с нами по телефону или электронной почте.
Категории:
| Описание продукта | Модуль TOSHIBA MG150Q2S50 Igbt представляет собой мощный модуль биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT). Он предназначен для использования в различных приложениях силовой электроники |
| Цель использования | Модуль MG150Q2S50 используется для переключения питания и управления в промышленных и коммерческих приложениях |
| Применение | Этот модуль IGBT обычно используется в приводах двигателей, источниках питания, сварочном оборудовании и других мощных электронных системах |
| Вес | Вес модуля MG150Q2S50 составляет примерно 0,5 килограмма |
| Цвет | Обычно модуль имеет черный или темно-серый цвет |
| Количество ампер | модуль MG150Q2S50 имеет номинальный ток 150 ампер |
| Размеры упаковки | Размеры упаковки модуля составляют примерно 10 см х 10 см х 5 см |
| Сопротивление | Сопротивление модуля MG150Q2S50 указано производителем и может варьироваться в зависимости от конкретного применения |
| Напряжение | Модуль имеет номинальное напряжение 1200 Вольт. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 Вольт. Входная емкость: 6000 пФ. Выходная емкость: 1000 пФ. Емкость обратной передачи: 200 пФ. Термическое сопротивление (переход к корпусу): 0,5°C/Вт |
| Максимальный ток | коллектора: 150 А. Максимальное рассеивание коллектора: 330 Вт |
| Максимальная температура перехода | 150°C |
| Диапазон рабочих температур | от -40°C до 150°C °C |
i-heroicons-information-circle
Внимание!
Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.
Продукты других производителей из категории Модули
Продукты TOSHIBA из других категорий
