TOSHIBA /

Модуль TOSHIBA MG150Q2S50

Бренд: TOSHIBA

Артикул: MG150Q2S50

Вы можете заказать Модуль TOSHIBA MG150Q2S50 в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.

Цена по согласованию.

Для получения коммерческого предложения добавьте данную позицию к запросу цен.

Категории:

Модули


Описание продукта	Модуль TOSHIBA MG150Q2S50 Igbt представляет собой мощный модуль биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT). он предназначен для использования в различных приложениях силовой электроники
Цель использования	Модуль MG150Q2S50 используется для переключения питания и управления в промышленных и коммерческих приложениях
Применение	Этот модуль IGBT обычно используется в приводах двигателей, источниках питания, сварочном оборудовании и других мощных электронных системах
Вес	Вес модуля MG150Q2S50 составляет примерно 0,5 килограмма
Цвет	Обычно модуль имеет черный или темно-серый цвет
Количество ампер	модуль MG150Q2S50 имеет номинальный ток 150 ампер
Размеры упаковки	Размеры упаковки модуля составляют примерно 10 см х 10 см х 5 см
Сопротивление	Сопротивление модуля MG150Q2S50 указано производителем и может варьироваться в зависимости от конкретного применения
Напряжение	Модуль имеет номинальное напряжение 1200 Вольт. 1. максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 вольт 2. входная емкость: 6000 пф 7. выходная емкость: 1000 пф 8. емкость обратной передачи: 200 пф 9. термическое сопротивление (переход к корпусу): 0,5°c/вт
Максимальный ток	коллектора: 150 А 3. максимальное рассеивание коллектора: 330 вт
Максимальная температура перехода	150°C
Диапазон рабочих температур	от -40°C до 150°C °C

Внимание!

Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.

Продукты других производителей из категории Модули