TOSHIBA /

Модуль TOSHIBA MG15Q2YS9

Бренд: TOSHIBA

Артикул: MG15Q2YS9

Вы можете заказать Модуль TOSHIBA MG15Q2YS9 в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.

Цена по согласованию.

Для получения коммерческого предложения добавьте данную позицию к запросу цен.

Категории:

Модули


Описание продукта	Модуль TOSHIBA MG15Q2YS9 Igbt представляет собой высокопроизводительный модуль биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT). он предназначен для использования в различных приложениях силовой электроники
Цель использования	Модуль Igbt MG15Q2YS9 используется для управления и переключения высоких уровней мощности в электронных схемах. он обычно используется в приводах двигателей, источниках питания и инверторах
Применение	Этот модуль IGBT подходит для приложений, требующих возможности обработки высокого напряжения и тока. его можно использовать в промышленной автоматизации, системах возобновляемой энергетики и зарядных станциях для электромобилей
Вес	Вес модуля Igbt MG15Q2YS9 составляет примерно 0,1 килограмма
Цвет	Цвет модуля может варьироваться, но обычно он черный или темно-серый
Количество ампер	Igbt-модуль MG15Q2YS9 имеет номинальный ток 15 ампер
Размеры упаковки	Размеры упаковки модуля составляют примерно 5 см х 5 см х 2 см
Сопротивление	оно измеряется в омах
Напряжение	Igbt-модуль MG15Q2YS9 имеет номинальное напряжение 1200 Вольт. 1. максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 вольт
Максимальный ток	коллектора: 15 А 3. максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 75 вт
Максимальная температура перехода	150°C 5. пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 вольт 6. ток утечки затвор-эмиттер: 100 на 7. входная емкость: 2,5 нф 8. выходная емкость: 1,2 нф 9. время задержки включения: 0,5 мкс 10. время задержки выключения: 1,2 мкс

Внимание!

Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.

Продукты других производителей из категории Модули