Модуль TOSHIBA MG15Q6ES50A
Бренд: TOSHIBA
Артикул: MG15Q6ES50A
Вы можете заказать Модуль TOSHIBA MG15Q6ES50A в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.
Цена по согласованию.
Чтобы уточнить цену, наличие и условия поставки, свяжитесь с нами по телефону или электронной почте.
Категории:
| Описание продукта | TOSHIBA MG15Q6ES50A — это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) с номинальным током 15 А и номинальным напряжением 1200 В. Он предназначен для коммутации высокой мощности |
| Цель использования | Модуль IGBT MG15Q6ES50A обычно используется в различных промышленных приложениях, таких как приводы двигателей, источники питания и инверторы |
| Применение | Этот модуль IGBT подходит для использования в мощных переключающих цепях, где требуется эффективное и надежное управление мощностью |
| Вес | Вес модуля IGBT MG15Q6ES50A составляет примерно 0,1 килограмма |
| Цвет | Цвет модуля может варьироваться в зависимости от производителя, но обычно он черный или темно-серый |
| Количество ампер | IGBT-модуль MG15Q6ES50A имеет номинальный ток 15 А |
| Размеры упаковки | Размеры упаковки модуля составляют примерно 5 см х 5 см х 2 см |
| Напряжение | Номинальное напряжение модуля IGBT MG15Q6ES50A составляет 1200 В. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В |
| Максимальный ток | коллектора: 15 А. Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 75 Вт |
| Максимальная температура перехода | 150 °C. Пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 В. Ток утечки затвор-эмиттер: 100 нА |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2,5 В. Входная емкость: 2,5 нФ. Выходная емкость: 1,2 нФ |
| Диапазон рабочих температур | от -40°C до 150°C |
i-heroicons-information-circle
Внимание!
Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.
Продукты других производителей из категории Модули
Продукты TOSHIBA из других категорий
