TOSHIBA /

Модуль TOSHIBA MG15Q6ES50A

Бренд: TOSHIBA

Артикул: MG15Q6ES50A

Вы можете заказать Модуль TOSHIBA MG15Q6ES50A в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.

Цена по согласованию.

Для получения коммерческого предложения добавьте данную позицию к запросу цен.

Категории:

Модули


Описание продукта	TOSHIBA MG15Q6ES50A — это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) с номинальным током 15 А и номинальным напряжением 1200 В. он предназначен для коммутации высокой мощности
Цель использования	Модуль IGBT MG15Q6ES50A обычно используется в различных промышленных приложениях, таких как приводы двигателей, источники питания и инверторы
Применение	Этот модуль IGBT подходит для использования в мощных переключающих цепях, где требуется эффективное и надежное управление мощностью
Вес	Вес модуля IGBT MG15Q6ES50A составляет примерно 0,1 килограмма
Цвет	Цвет модуля может варьироваться в зависимости от производителя, но обычно он черный или темно-серый
Количество ампер	IGBT-модуль MG15Q6ES50A имеет номинальный ток 15 А
Размеры упаковки	Размеры упаковки модуля составляют примерно 5 см х 5 см х 2 см
Напряжение	Номинальное напряжение модуля IGBT MG15Q6ES50A составляет 1200 В. 1. максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 в
Максимальный ток	коллектора: 15 А 3. максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 75 вт
Максимальная температура перехода	150 °C 5. пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 в 6. ток утечки затвор-эмиттер: 100 на
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2,5 В 8. входная емкость: 2,5 нф 9. выходная емкость: 1,2 нф
Диапазон рабочих температур	от -40°C до 150°C

Внимание!

Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.

Продукты других производителей из категории Модули