TOSHIBA /

Модуль TOSHIBA MG50Q2YS50A

Бренд: TOSHIBA

Артикул: MG50Q2YS50A

Вы можете заказать Модуль TOSHIBA MG50Q2YS50A в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.

Цена по согласованию.

Для получения коммерческого предложения добавьте данную позицию к запросу цен.

Категории:

Модули


Описание продукта	Модуль высокой мощности TOSHIBA MG50Q2YS50A Igbt представляет собой мощный модуль биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT). он предназначен для применений, требующих высокой мощности и высокого напряжения
Цель использования	Модуль высокой мощности Igbt MG50Q2YS50A обычно используется в приложениях силовой электроники, таких как приводы двигателей, источники питания и инверторы
Применение	Этот модуль подходит для различных промышленных и коммерческих приложений, где требуется переключение высокой мощности и высокого напряжения
Вес	Вес Igbt-модуля высокой мощности MG50Q2YS50A составляет примерно 0,2 кг
Цвет	Цвет модуля обычно черный или темно-серый
Количество ампер	Igbt-модуль высокой мощности MG50Q2YS50A имеет номинальный ток 50 ампер
Размеры упаковки	Размеры упаковки модуля составляют примерно 5 см х 5 см х 2 см
Напряжение	Модуль высокой мощности Igbt MG50Q2YS50A имеет номинальное напряжение 1200 Вольт. 1. максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 вольт
Максимальный ток	коллектора: 50 А 3. максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 250 вт
Максимальная температура перехода	150°C 5. пороговое напряжение затвор-эмиттер: 3 в 6. ток утечки затвор-эмиттер: 100 мка
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2,5 В 8. входная емкость: 4000 пф 9. выходная емкость: 1000 пф
Диапазон рабочих температур	от -40°C до 150°C

Внимание!

Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.

Продукты других производителей из категории Модули