Сервоусилитель MOSFET IXFN55N50
Бренд: MOSFET
Артикул: IXFN55N50
Вы можете заказать Сервоусилитель MOSFET IXFN55N50 в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.
Цена по согласованию.
Чтобы уточнить цену, наличие и условия поставки, свяжитесь с нами по телефону или электронной почте.
Категории:
| Описание продукта | Коробка MOSFET представляет собой высокопроизводительную схему усилителя, предназначенную для аудиоприложений. Он оснащен MOSFET-транзистором IXFN55N50, который известен своими превосходными возможностями управления мощностью и низким уровнем искажений. Схема усилителя заключена в компактную коробку для удобства установки и интеграции в аудиосистемы |
| Цель использования | Схема усилителя на MOSFET-транзисторе используется для усиления аудиосигналов, обеспечивая повышенную мощность и улучшенное качество звука. Он обычно используется в профессиональных аудиосистемах, домашних кинотеатрах и автомобильных аудиосистемах |
| Применение | Схема усилителя на MOSFET-транзисторе может использоваться в различных аудиоприложениях, включая питание динамиков, сабвуферов и усиление звука для музыкальных инструментов |
| Вес | Вес схемы усилителя на MOSFET-транзисторе составляет примерно 1,5 килограмма |
| Цвет | схема усилителя MOSFET обычно имеет черный цвет |
| Количество ампер | схема усилителя на МОП-транзисторе может выдерживать ток до 55 ампер |
| Размеры упаковки | Размеры упаковки схемы усилителя MOSFET составляют 15 см x 10 см x 5 см |
| Сопротивление | Схема усилителя MOSFET имеет сопротивление 0,05 Ом |
| Напряжение | Схема усилителя на MOSFET-транзисторе работает в диапазоне напряжений 10–50 В |
| Выходная мощность | схема усилителя на MOSFET-транзисторе может обеспечивать мощность до 500 Вт. 2. Частотная характеристика. Схема усилителя имеет диапазон частотной характеристики от 20 Гц до 20 кГц. Отношение сигнал/шум: соотношение сигнал/шум составляет 90 дБ, что обеспечивает низкий уровень шумовых помех. 4. Входное сопротивление. Входное сопротивление схемы усилителя составляет 10 кОм. THD (полное гармоническое искажение): THD схемы усилителя на MOSFET-транзисторе составляет менее 0,1%. Регулятор усиления: оснащен ручкой усиления для регулировки уровня усиления. Тепловая защита: схема усилителя оснащена тепловой защитой для предотвращения перегрева. 8 |
| Защита | от короткого замыкания. Он имеет встроенную защиту от короткого замыкания для защиты от электрических неисправностей. 9 |
| Рабочая температура | Схема усилителя на МОП-транзисторах может работать в диапазоне температур от -10°C до 50°C. Варианты монтажа: его можно установить на плоскую поверхность или интегрировать в стойку |
i-heroicons-information-circle
Внимание!
Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.
Продукты других производителей из категории Сервоусилители
Продукты MOSFET из других категорий