MOSFET /

MOSFET IXFN21N100Q

Бренд: MOSFET

Артикул: IXFN21N100Q

Вы можете заказать MOSFET IXFN21N100Q в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.

Цена по согласованию.

Для получения коммерческого предложения добавьте данную позицию к запросу цен.

Категории:

Разное


Описание продукта	MOSFET IXFN21N100Q — это мощный N-канальный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для различных силовых приложений. его производит корпорация ixys
Цель использования	МОП-транзистор IXFN21N100Q обычно используется в силовой электронике и переключающих устройствах, таких как управление двигателями, источники питания, инверторы и усилители
Применение	Этот МОП-транзистор подходит для использования в широком спектре отраслей промышленности, включая автомобилестроение, промышленную автоматизацию, возобновляемые источники энергии, телекоммуникации и бытовую электронику
Вес	Вес МОП-транзистора IXFN21N100Q составляет примерно 0,05 кг
Цвет	Цвет полевого МОП-транзистора может варьироваться в зависимости от производителя, но обычно он черный или темно-серый
Количество ампер	максимальный ток МОП-транзистора IXFN21N100Q составляет 21 ампер
Размеры упаковки	Размеры упаковки MOSFET IXFN21N100Q составляют примерно 5 см x 5 см x 1 см
Сопротивление	Сопротивление МОП-транзистора IXFN21N100Q в открытом состоянии обычно составляет около 0,1 Ом
Напряжение	МОП-транзистор IXFN21N100Q имеет максимальное номинальное напряжение 1000 В. 1. пороговое напряжение затвора: 3 вольта 3. непрерывный ток стока: 21 ампер 5. рассеиваемая мощность: 250 вт
Диапазон рабочих температур	от -55°C до +150°C 7. входная емкость: 1800 пикофарад 8. выходная емкость: 400 пикофарад 9. общий заряд затвора: 60 нанокулонов 10. заряд затвора-источника: 15 нанокулонов

Внимание!

Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.

Продукты других производителей из категории Разное