ion:search-outline
Транзистор MOSFET IXFN72N55Q2

Транзистор MOSFET IXFN72N55Q2

Бренд: MOSFET
Артикул: IXFN72N55Q2

Вы можете заказать Транзистор MOSFET IXFN72N55Q2 в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.

Цена по согласованию.

Чтобы уточнить цену, наличие и условия поставки, свяжитесь с нами по телефону или электронной почте.


Категории:

Описание продуктаСиловой МОП-транзистор IXFN72N55Q2 представляет собой высокопроизводительное полупроводниковое устройство, предназначенное для переключения мощности. Он производится корпорацией IXYS, известным брендом в области силовой электроники
Цель использованияMOSFET-транзистор IXFN72N55Q2 в основном используется для переключения и усиления мощности в различных электронных схемах и системах
ПрименениеЭтот продукт находит широкое применение в источниках питания, системах управления двигателями, инверторах, усилителях звука и других мощных электронных устройствах
ВесВес MOSFET-транзистора IXFN72N55Q2 составляет примерно 0,02 килограмма
ЦветЦвет продукта обычно черный или темно-серый, что указывает на его полупроводниковую природу
Количество амперМОП-транзистор IXFN72N55Q2 может выдерживать максимальный постоянный ток стока 72 ампера
Размеры упаковкиТовар обычно упаковывается в компактную упаковку ТО-247, примерные размеры 15 х 10 х 5 сантиметров
СопротивлениеСопротивление во включенном состоянии (RDS(on)) MOSFET-транзистора IXFN72N55Q2 обычно составляет около 0,055 Ом
Напряжениемаксимальное напряжение сток-исток (VDS) MOSFET-транзистора IXFN72N55Q2 составляет 55 Вольт. Диапазон напряжения затвор-исток (VGS): ±20 В. Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 2,5 В (максимум). Общий заряд затвора (Qg): 120 нКл (типичное). ). Входная емкость (Crss): 4000 пФ (типично). Выходная емкость (Coss): 600 пФ (типично). Емкость обратной передачи (Crss): 400 пФ (типично). Лавинная энергия (EAS): 200 мДж (типичный)
Диапазон рабочих температурот -55°C до +175°C
Диапазон температурхранения: от -55°C до +175°C
Соответствие RoHSизделие соответствует директиве об ограничении использования опасных веществ
i-heroicons-information-circle

Внимание!

Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.
Продукты других производителей из категории Транзисторы
Транзистор DARLINGTON MG15D6EM1

Транзистор DARLINGTON MG15D6EM1

Транзистор WESTCODE W0628RA040

Транзистор WESTCODE W0628RA040

Транзистор FUJI 2DI300A-060

Транзистор FUJI 2DI300A-060

Транзистор MITSUBISHI QM200HA-2HB

Транзистор MITSUBISHI QM200HA-2HB

Транзистор MITSUBISHI QM100E2Y-H

Транзистор MITSUBISHI QM100E2Y-H

Транзистор FUJI 2DI75B-120

Транзистор FUJI 2DI75B-120

Транзистор MITSUBISHI QM100TF-H

Транзистор MITSUBISHI QM100TF-H

Транзистор FUJI 2DI30D-100

Транзистор FUJI 2DI30D-100

Транзистор WESTCODE R3047TD28R

Транзистор WESTCODE R3047TD28R

Транзистор MITSUBISHI QM15TD-HB

Транзистор MITSUBISHI QM15TD-HB

Продукты MOSFET из других категорий
 MOSFET IXFN39N90

MOSFET IXFN39N90

Модуль MOSFET MG400J1US41

Модуль MOSFET MG400J1US41