TI CSD87313DMST
Бренд: TI
Артикул: CSD87313DMST
Вы можете заказать TI CSD87313DMST в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.
Цена по согласованию.
Для получения коммерческого предложения добавьте данную позицию к запросу цен.
Категории:
Описание продукта | TI CSD87313DMS — это электронный компонент, в частности MOSFET (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник). это высокопроизводительный силовой моп-транзистор, предназначенный для различных применений |
Цель использования | МОП-транзистор CSD87313DMS используется для управления питанием и переключения приложений в электронных устройствах и системах |
Применение | Этот МОП-транзистор может использоваться в широком спектре приложений, таких как источники питания, управление двигателем, светодиодное освещение, зарядные устройства и другие схемы управления питанием |
Вес | Вес МОП-транзистора CSD87313DMS составляет примерно 0,5 грамма |
Цвет | Цвет МОП-транзистора обычно черный или темно-серый |
Количество ампер | МОП-транзистор CSD87313DMS может выдерживать максимальный ток 30 ампер |
Размеры упаковки | Размеры упаковки продукта составляют примерно 5 см х 5 см х 1 см |
Сопротивление | Сопротивление полевого МОП-транзистора обычно указывается в единицах сопротивления открытого состояния (Rds(on)), которое составляет около 10 миллиом |
Напряжение | МОП-транзистор CSD87313DMS может выдерживать максимальное напряжение 30 Вольт. 1. пороговое напряжение затвора (vgs(th)): 1,5 в 3. непрерывный ток стока (id): 30 ампер 5. рассеиваемая мощность (pd): 2,5 вт |
Диапазон рабочих температур | от -55°C до 150°C 7. входная емкость (ciss): 2000 пикофарад 8. выходная емкость (coss) : 400 пикофарад 9. общий заряд затвора (qg): 20 нанокулонов 10. прямое напряжение внутреннего диода (vsd): 0,8 в |
Внимание!
Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.
Продукты других производителей из категории Разное