MOSFET /

Транзистор MOSFET IXFN100N10S2

Бренд: MOSFET

Артикул: IXFN100N10S2

Вы можете заказать Транзистор MOSFET IXFN100N10S2 в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.

Цена по согласованию.

Для получения коммерческого предложения добавьте данную позицию к запросу цен.

Категории:

Транзисторы


Описание продукта	IXFN100N10S2 — это МОП-транзистор, производимый корпорацией IXYS. это мощный n-канальный транзистор с улучшенным режимом, предназначенный для различных применений в силовой электронике
Цель использования	IXFN100N10S2 обычно используется в системах преобразования энергии, управлении двигателями и других приложениях высокого напряжения
Применение	Этот MOSFET-транзистор может использоваться в различных электронных устройствах и схемах, где требуется переключение и усиление высокой мощности
Вес	Вес MOSFET-транзистора IXFN100N10S2 составляет примерно 0,02 килограмма
Цвет	цвет MOSFET-транзистора IXFN100N10S2 обычно черный или темно-серый
Количество ампер	МОП-транзистор IXFN100N10S2 может выдерживать максимальный постоянный ток стока 100 ампер
Размеры упаковки	Размеры упаковки MOSFET-транзистора IXFN100N10S2 составляют примерно 5 см x 5 см x 1 см
Сопротивление	Сопротивление открытого состояния MOSFET-транзистора IXFN100N10S2 обычно составляет 0,01 Ом
Напряжение	МОП-транзистор IXFN100N10S2 выдерживает максимальное напряжение сток-исток 100 Вольт. 1. пороговое напряжение затвора: 2–4 в 3. входная емкость: 4000 пф 4. выходная емкость: 800 пф 5. общий заряд затвора: 100 нкл 6. рассеиваемая мощность: 200 вт
Диапазон рабочих температур	от -55°C до +175°C 8. лавинная энергия: 100 мдж 9. способ монтажа: сквозное отверстие 10. тип упаковки: to-

Внимание!

Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.

Продукты других производителей из категории Транзисторы