ion:search-outline
Транзистор MOSFET IXFN300N10P

Транзистор MOSFET IXFN300N10P

Бренд: MOSFET
Артикул: IXFN300N10P

Вы можете заказать Транзистор MOSFET IXFN300N10P в Санкт-Петербурге, с доставкой по всей России.

Цена по согласованию.

Чтобы уточнить цену, наличие и условия поставки, свяжитесь с нами по телефону или электронной почте.


Категории:

Описание продуктаIXFN300N10P — это МОП-транзистор, производимый корпорацией IXYS. Это мощный N-канальный транзистор режима улучшения, предназначенный для различных силовых приложений
Цель использованияIXFN300N10P обычно используется в силовой электронике и коммутационных устройствах, таких как управление двигателями, источники питания, инверторы и усилители
ПрименениеЭтот MOSFET-транзистор может использоваться в широком спектре отраслей промышленности, включая автомобилестроение, промышленную автоматизацию, телекоммуникации и возобновляемые источники энергии
ВесВес MOSFET-транзистора IXFN300N10P составляет примерно 0,02 килограмма
Цветцвет MOSFET-транзистора IXFN300N10P обычно черный или темно-серый
Количество амперМОП-транзистор IXFN300N10P выдерживает максимальный постоянный ток стока 300 ампер
Размеры упаковкиРазмеры упаковки MOSFET-транзистора IXFN300N10P составляют примерно 5 см x 5 см x 1 см
СопротивлениеСопротивление открытого состояния (RDS(on)) MOSFET-транзистора IXFN300N10P обычно составляет 10 миллиом
НапряжениеМОП-транзистор IXFN300N10P имеет максимальное номинальное напряжение сток-исток (VDS) 100 Вольт. Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 2,5 В. Общий заряд затвора (Qg): 200 нКл. Входная емкость (Ciss): 4000 пФ. Выходная емкость (Coss): 800 пФ. Обратная передаточная емкость (Crss): 500 пФ. Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 300 Вт
Диапазон рабочих температурот -55°C до + 175°C. Лавинная энергия (EAS): 200 мДж. Способ монтажа: Сквозное отверстие
i-heroicons-information-circle

Внимание!

Указанные выше характеристики получены из открытых источников и могут содержать ошибки и неточности. Всегда ориентируйтесь только на характеристики продуктов заявленные на официальных сайтах производителей.
Продукты других производителей из категории Транзисторы
Транзистор FUJI 2DI300A-050

Транзистор FUJI 2DI300A-050

Транзистор MITSUBISHI QM50TB-H

Транзистор MITSUBISHI QM50TB-H

Транзистор DARLINGTON 1SI50A-100

Транзистор DARLINGTON 1SI50A-100

Транзистор DARLINGTON ETM36-030

Транзистор DARLINGTON ETM36-030

Транзистор MITSUBISHI QM10TD-H

Транзистор MITSUBISHI QM10TD-H

Транзистор FUJI 2DI75A-060

Транзистор FUJI 2DI75A-060

Транзистор MITSUBISHI QM50TX-HB

Транзистор MITSUBISHI QM50TX-HB

Транзистор FUJI 2DI150Z-100-E

Транзистор FUJI 2DI150Z-100-E

Транзистор MITSUBISHI UM100CDY-10

Транзистор MITSUBISHI UM100CDY-10

Транзистор FUJI 2DI150B-120

Транзистор FUJI 2DI150B-120

Продукты MOSFET из других категорий
 MOSFET IXFN39N90

MOSFET IXFN39N90

Модуль MOSFET MG400J1US41

Модуль MOSFET MG400J1US41